昌锡江教授

博士生导师，民盟盟员，1984年出生于宁夏银川。本科就读于清华大学工程物理系，后保研复旦大学，2013年在电光源系获得物理电子学博士(理学)学位，同年获得日本静冈大学纳米显示工程博士(工学)学位。后相继在日本东北大学，北京北方微电子，上海工程技术大学工作，2019年加入东华大学，2023年获聘教授、博导。研究方向涉及低温等离子体物理，等离子体源及诊断，在专业领域知名期刊发表学术论文40多篇，授权专利10余项。在半导体高端设备领域有多年从业经验，2021年以顾问身份参与华为战略性项目，任等离子体领域首席专家。

研究方向：

1、  低温等离子体源设计及应用

2、  微波等离子体

3、  集成电路加工装备

荣誉及获奖情况：

1、  2015，省部级人才，北京市“海聚工程”特聘专家，

2、  2016，省部级人才，上海市青年东方学者

近年来承担的主要科研项目：

1、  国家自然科学基金面上项目：表面波等离子体原位氮掺杂制备金刚石NV发光中心的研究，2022-2025；

2、  国家自然科学基金青年项目：有机电致发光器件材料的等离子体中性束修饰机理研究，2017-2019；

3、  上海高校选拔培养优秀青年教师科研专项基金资助项目，2016-2017

4、  与多家企业以技术服务形式签署横向项目

近年来发表的代表性论著、专利：

论文

1、    Xijiang Chang*, Shuchang Xu, Daqian Wang, Zhihao Zhang, Ying Guo and Shifei Kang*, Flash Dual-Engineering of Surface Carboxyl Defects and Single Cu Atoms of g-C3N4 Via Unique CO2 Plasma Immersion Approach for Boosted Photocatalytic Activity. Matetials Today Advances. 15, 100274, 2022

2、    Xijiang Chang* Daqian Wang, Shuchang Xu, Zhihao Zhang, Ziying Xiong, Ying Guo and Shifei Kang*, Unraveling Structural Carboxyl Defects in g-C3N4 for Improved Photocatalytic H2 Evolution Via Alternating Hydrogen-Oxygen-Plasma Treatment. Advanced Sustainable Systems, 2200207, 2022

3、    Shifei Kang, Zhihao Zhang, Maofen He, Zirou Fang, Di Sun, Lulu Zheng, Xijiang Chang*, Lifeng Cui*, Harmonious K-I-O co-modification of g-C3N4 for improved charge separation and photocatalysis. Inorganic Chemistry Frontiers, 9, 5, 950-958. 2022

4、    Shifei Kang, Maofen He, Mengya Chen, Yanfei Liu, Yuting Wang, Yangang Wang, Mingdong Dong, Xijiang Chang*, Lifeng Cui*. Surface amino group regulation and structural engineering of graphitic carbon nitride with enhanced photocatalytic activity by ultrafast ammonia plasma immersion modification. ACS Appl. Mater. Interfaces, 11, 14952-14959, 2019

5、    Jingxia Yang*, Huihui Ding, Zhu Zhu, Qiuhe Wang, Jinjie Wang, Jingli Xu, Xijiang Chang*. Surface modification of CeO2 nanoflakes by low temperature plasma treatment to enhance imine yield: influences of different plasma atmospheres. Applied Surface Science, 454, 173-180, 2018

专利

1、  一种等离子体射流产生装置 ，第一发明人，201810847719.7，已转让

2、  一种圆柱表面波等离子体产生装置 ，第一发明人，201811287082.7，已转让

3、  一种等离子体射流的发生装置，第一发明人，201810845748.X

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